Ampleon USA Inc. - BLP10H610AZ

KEY Part #: K6466702

BLP10H610AZ التسعير (USD) [4365الأسهم قطعة]

1 pcs$12.60820
60 pcs$12.54547
120 pcs$11.21711
300 pcs$10.70053

رقم القطعة:: BLP10H610AZ

الصانع:: Ampleon USA Inc.

وصف مفصل:: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN.

الصانع المهلة القياسية:: في المخزن

مدة الصلاحية:: سنة واحدة

رقاقة من:: هونج كونج

بنفايات:

طريقة الدفع او السداد:

طريقة الشحن:

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثايرستور - TRIACs, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة and الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors) ...

Competitive Advantage:: We specialize in Ampleon USA Inc. BLP10H610AZ electronic components. BLP10H610AZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLP10H610AZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLP10H610AZ سمات المنتج

رقم القطعة : BLP10H610AZ

الصانع : Ampleon USA Inc.

وصف : RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الترانزستور : LDMOS (Dual), Common Source

تكرر : 860MHz

كسب : 22dB

اختبار الجهد : 50V

التصويت الحالي : -

الشكل الضوضاء : -

الاختبار الحالي : 60mA

مخرج قوي : 10W

الجهد - تصنيف : 104V

حزمة / القضية : 12-VDFN Exposed Pad

حزمة جهاز المورد : 12-HVSON (6x5)

قد تكون أيضا مهتما ب

PN5033

Central Semiconductor Corp

TRANSISTOR PNP TH.
RFM12U7X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH PW-X.
RFM08U9X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH PW-X.
PD57030S-E

STMicroelectronics

FET RF 65V 945MHZ PWRSO10.
PD85025S-E

STMicroelectronics

FET RF 40V 870MHZ.
PD85015STR-E

STMicroelectronics

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF.

English العربية