ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16160F-6BL-TR

KEY Part #: K939768

وصف مفصل:: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: PMIC - التحكم في الطاقة عبر الإيثرنت (PoE), المنطق - متعدد الهزاز, واجهة - مخازن إشارة ، الراسبين ، الخائن, PMIC - RMS إلى محولات التيار المستمر, PMIC - منظمات الجهد - تحكم منظم الخطي, واجهة - السائقين ، الاستقبال ، الاستقبال, الحصول على البيانات - الجهد الرقمية and الصوت الغرض الخاص ...

Competitive Advantage:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6BL-TR electronic components. IS43R16160F-6BL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R16160F-6BL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : IS43R16160F-6BL-TR

الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

وصف : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : DRAM

تقنية : SDRAM - DDR

حجم الذاكرة : 256Mb (16M x 16)

تردد على مدار الساعة : 166MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 15ns

وقت الوصول : 700ps

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 2.3V ~ 2.7V

درجة حرارة التشغيل : 0°C ~ 70°C (TA)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 60-TFBGA

حزمة جهاز المورد : 60-TFBGA (13x8)

قد تكون أيضا مهتما ب

N01S818HAT22I

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT
N01S830HAT22I

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM
N01S830BAT22I

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT
R1LP5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP
R1LV5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube
71256SA25TPGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM