رقم القطعة :
APTM100DA18TG
الصانع :
Microsemi Corporation
وصف :
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1000V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
43A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
210 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 5mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
372nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
10400pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
780W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount