Diodes Incorporated - DMT10H010LCT

KEY Part #: K6397813

DMT10H010LCT التسعير (USD) [52836الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.74004
  • 50 pcs$0.59788
  • 100 pcs$0.53809
  • 500 pcs$0.41852
  • 1,000 pcs$0.32803

رقم القطعة:
DMT10H010LCT
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 100V TO220AB.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF and الترانزستورات - IGBTs - وحدات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Diodes Incorporated DMT10H010LCT electronic components. DMT10H010LCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT10H010LCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H010LCT سمات المنتج

رقم القطعة : DMT10H010LCT
الصانع : Diodes Incorporated
وصف : MOSFET N-CH 100V TO220AB
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 98A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 3000pF @ 50V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 2W (Ta), 139W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة جهاز المورد : TO-220AB
حزمة / القضية : TO-220-3

قد تكون أيضا مهتما ب
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.