رقم القطعة :
DMT10H010LCT
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N-CH 100V TO220AB
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
98A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
71nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
3000pF @ 50V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2W (Ta), 139W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220AB