ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S16160J-7BLI

KEY Part #: K939390

وصف مفصل:: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: واجهة - التوليف الرقمي المباشر (DDS), وحدات تحكم الذاكرة, الحصول على البيانات - الجهد الرقمية, واجهة - الاتصالات, واجهة - المتخصصة, المنطق - وظائف الناقل العالمي, ساعة / توقيت - ساعات الوقت الحقيقي and ساعة / توقيت - تطبيق معين ...

Competitive Advantage:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BLI electronic components. IS42S16160J-7BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S16160J-7BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : IS42S16160J-7BLI

الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

وصف : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : DRAM

تقنية : SDRAM

حجم الذاكرة : 256Mb (16M x 16)

تردد على مدار الساعة : 143MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : -

وقت الوصول : 5.4ns

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 3V ~ 3.6V

درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 54-TFBGA

حزمة جهاز المورد : 54-TFBGA (8x8)

قد تكون أيضا مهتما ب

CAV25M01YE-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.