الصانع :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
وصف :
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
12A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
520 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
50nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1954pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-262F
حزمة / القضية :
TO-262-3 Full Pack, I²Pak