الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
1.1A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
500 mOhm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
12nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
270pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
حزمة / القضية :
4-DIP (0.300", 7.62mm)