رقم القطعة :
BSC046N10NS3GATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
حالة الجزء :
Not For New Designs
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
17A (Ta), 100A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
4.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 120µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
63nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
4500pF @ 50V
تبديد الطاقة (ماكس) :
156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-TDSON-8
حزمة / القضية :
8-PowerTDFN