رقم القطعة :
APTMC120HRM40CT3AG
الصانع :
Microsemi Corporation
وصف :
POWER MODULE - SIC MOSFET
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET :
Silicon Carbide (SiC)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V (1.2kV)
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 12.5mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
161nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2788pF @ 1000V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount