Diodes Incorporated - DMG9N65CT

KEY Part #: K6396071

DMG9N65CT التسعير (USD) [65693الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.26103
  • 50 pcs$0.21713
  • 100 pcs$0.17722
  • 500 pcs$0.14009
  • 1,000 pcs$0.11207

رقم القطعة:
DMG9N65CT
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثنائيات - RF, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة and الثنائيات - زينر - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Diodes Incorporated DMG9N65CT electronic components. DMG9N65CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG9N65CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG9N65CT سمات المنتج

رقم القطعة : DMG9N65CT
الصانع : Diodes Incorporated
وصف : MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 9A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±30V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 2310pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 165W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة جهاز المورد : TO-220AB
حزمة / القضية : TO-220-3

قد تكون أيضا مهتما ب