رقم القطعة :
IPN80R2K4P7ATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
COOLMOS P7 800V SOT-223
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
800V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
2.5A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.4 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 40µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
150pF @ 500V
تبديد الطاقة (ماكس) :
6.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-SOT223