الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
10A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 100µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
68nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1645pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
39W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220FP
حزمة / القضية :
TO-220-3 Full Pack