الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET BVDSS 8V-24V SOT23 TR 1
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
6.8A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
25 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
7.1nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
647pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
800mW
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-23
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3