Winbond Electronics - W632GU6MB-11

KEY Part #: K940228

وصف مفصل:: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: PMIC - عرض السائقين, جزءا لا يتجزأ - المعالجات الدقيقة, الساعة / التوقيت - الموقتات القابلة للبرمجة والمذب, PMIC - التحكم في الطاقة عبر الإيثرنت (PoE), جزءا لا يتجزأ - ميكروكنترولر, PMIC - منظمات الجهد - تحكم منظم الخطي, جزءا لا يتجزأ - ميكروكنترولر - تطبيق معين and وحدات تحكم الذاكرة ...

Competitive Advantage:: We specialize in Winbond Electronics W632GU6MB-11 electronic components. W632GU6MB-11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W632GU6MB-11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : W632GU6MB-11

الصانع : Winbond Electronics

وصف : IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : DRAM

تقنية : SDRAM - DDR3

حجم الذاكرة : 2Gb (128M x 16)

تردد على مدار الساعة : 933MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : -

وقت الوصول : 20ns

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 1.283V ~ 1.45V

درجة حرارة التشغيل : 0°C ~ 95°C (TC)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 96-VFBGA

حزمة جهاز المورد : 96-VFBGA (7.5x13)

قد تكون أيضا مهتما ب

CY7C199D-25SXET

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs
W94AD2KBJX5I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R
W94AD2KBJX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R
W632GG8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz
W632GG8MB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz
W632GU8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz