رقم القطعة :
SSM3K56MFV,L3F
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
800mA (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
1nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
55pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
150mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount