رقم القطعة :
FCPF600N65S3R0L
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
SUPERFET3 650V TO220F PKG
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
6A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 600µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
11nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
465pF @ 400V
تبديد الطاقة (ماكس) :
24W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220F-3
حزمة / القضية :
TO-220-3 Full Pack