رقم القطعة :
SIHP24N65E-E3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
24A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
122nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2740pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220AB