الصانع :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
14A (Ta), 24A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
8.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
22nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1086pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.1W (Ta), 23W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-DFN-EP (3x3)
حزمة / القضية :
8-PowerVDFN