الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
30A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
75 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1.7mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
48nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1535pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
PG-TO251-3
حزمة / القضية :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA