Infineon Technologies - 2PS12017E34W32132NOSA1

KEY Part #: K6532621

2PS12017E34W32132NOSA1 التسعير (USD) [17الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$2024.88768

رقم القطعة:
2PS12017E34W32132NOSA1
الصانع:
Infineon Technologies
وصف مفصل:
MODULE IGBT STACK A-PS4-1.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - RF, وحدات سائق السلطة, الثنائيات - زينر - المصفوفات and الثنائيات - زينر - واحد ...
Competitive Advantage:
We specialize in Infineon Technologies 2PS12017E34W32132NOSA1 electronic components. 2PS12017E34W32132NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2PS12017E34W32132NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2PS12017E34W32132NOSA1 سمات المنتج

رقم القطعة : 2PS12017E34W32132NOSA1
الصانع : Infineon Technologies
وصف : MODULE IGBT STACK A-PS4-1
سلسلة : -
حالة الجزء : Not For New Designs
نوع IGBT : -
ترتيب : Three Phase Inverter
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) : -
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) : -
أقصى القوة : -
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic : -
الحالية - قطع جامع (ماكس) : -
سعة الإدخال (Cies) @ Vce : -
إدخال : Standard
NTC الثرمستور : No
درجة حرارة التشغيل : -25°C ~ 55°C
تصاعد نوع : Chassis Mount
حزمة / القضية : Module
حزمة جهاز المورد : Module

قد تكون أيضا مهتما ب
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.