وصف :
MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
180A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
151nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
6900pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
480W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة / القضية :
TO-3P-3, SC-65-3