رقم القطعة :
SQM200N04-1M1L_GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
40V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
200A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
413nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
20655pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-263-7
حزمة / القضية :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)