وصف :
GANFET TRANS 60V 90A BUMPED DIE
تقنية :
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
90A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.2 mOhm @ 31A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 16mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
16nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1780pF @ 30V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount