Vishay Siliconix - SIHH11N60E-T1-GE3

KEY Part #: K6418241

SIHH11N60E-T1-GE3 التسعير (USD) [56669الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.69342
  • 3,000 pcs$0.68997

رقم القطعة:
SIHH11N60E-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - الغرض الخاص, الثايرستور - SCRs, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF and الثنائيات - RF ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH11N60E-T1-GE3 electronic components. SIHH11N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH11N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH11N60E-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SIHH11N60E-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 11A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 339 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±30V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1076pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 114W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® 8 x 8
حزمة / القضية : 8-PowerTDFN

قد تكون أيضا مهتما ب
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • IRFIZ34NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP.

  • TK7A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.