رقم القطعة :
SI4491EDY-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
17.3A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
6.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
153nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
4620pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)