Vishay Siliconix - SUD20N10-66L-GE3

KEY Part #: K6420786

SUD20N10-66L-GE3 التسعير (USD) [254258الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.14547
  • 2,000 pcs$0.13689

رقم القطعة:
SUD20N10-66L-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثايرستور - TRIACs, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF and الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SUD20N10-66L-GE3 electronic components. SUD20N10-66L-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD20N10-66L-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD20N10-66L-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SUD20N10-66L-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 16.9A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 66 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 860pF @ 50V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : TO-252
حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

قد تكون أيضا مهتما ب