إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. الصفحة الرئيسية
  2. منتجات
  3. منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
  4. الثنائيات - مقومات - واحدة
  5. JAN1N5417US

Microsemi Corporation - JAN1N5417US

KEY Part #: K6427644

JAN1N5417US التسعير (USD) [7063الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$5.86387
  • 100 pcs$5.83469
رقم القطعة:
JAN1N5417US
الصانع:
Microsemi Corporation
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - زينر - واحد, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثايرستور - SCRs, وحدات سائق السلطة, الثنائيات - RF and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF ...
Competitive Advantage:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5417US electronic components. JAN1N5417US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5417US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5417US سمات المنتج

رقم القطعة : JAN1N5417US
الصانع : Microsemi Corporation
وصف : DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
سلسلة : Military, MIL-PRF-19500/411
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 200V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 3A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.5V @ 9A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 150ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 1µA @ 200V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : SQ-MELF, B
حزمة جهاز المورد : B, SQ-MELF
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 175°C

أحدث الأخبار

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
قد تكون أيضا مهتما ب
  • GP2D008A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L.

  • V35PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS

  • V35PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V20PWM60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

أجزاء ساخنة