الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
55V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
19A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
35nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
620pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.8W (Ta), 68W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-262
حزمة / القضية :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA