Vishay Siliconix - SQA410EJ-T1_GE3

KEY Part #: K6421109

SQA410EJ-T1_GE3 التسعير (USD) [349848الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.10573
  • 3,000 pcs$0.08989

رقم القطعة:
SQA410EJ-T1_GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثنائيات - مقومات - صفائف and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SQA410EJ-T1_GE3 electronic components. SQA410EJ-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQA410EJ-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQA410EJ-T1_GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SQA410EJ-T1_GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
سلسلة : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 7.8A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 28 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 8nC @ 4.5V
Vgs (ماكس) : ±8V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 485pF @ 10V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 13.6W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® SC-70-6 Single
حزمة / القضية : PowerPAK® SC-70-6

قد تكون أيضا مهتما ب