رقم القطعة :
TPH4R606NH,L1Q
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
32A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
4.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
49nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
3965pF @ 30V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.6W (Ta), 63W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-SOP Advance (5x5)
حزمة / القضية :
8-PowerVDFN