Toshiba Semiconductor and Storage - TPH4R606NH,L1Q

KEY Part #: K6419383

TPH4R606NH,L1Q التسعير (USD) [108618الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.34956
  • 5,000 pcs$0.34782

رقم القطعة:
TPH4R606NH,L1Q
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف مفصل:
MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH,L1Q electronic components. TPH4R606NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH4R606NH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH4R606NH,L1Q سمات المنتج

رقم القطعة : TPH4R606NH,L1Q
الصانع : Toshiba Semiconductor and Storage
وصف : MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
سلسلة : U-MOSVIII-H
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 32A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 4.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 3965pF @ 30V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 1.6W (Ta), 63W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : 8-SOP Advance (5x5)
حزمة / القضية : 8-PowerVDFN

قد تكون أيضا مهتما ب