Diodes Incorporated - DMN10H220LQ-7

KEY Part #: K6393842

DMN10H220LQ-7 التسعير (USD) [974181الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.03797
  • 3,000 pcs$0.03480

رقم القطعة:
DMN10H220LQ-7
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت and الترانزستورات - الغرض الخاص ...
Competitive Advantage:
We specialize in Diodes Incorporated DMN10H220LQ-7 electronic components. DMN10H220LQ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H220LQ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN10H220LQ-7 سمات المنتج

رقم القطعة : DMN10H220LQ-7
الصانع : Diodes Incorporated
وصف : MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 1.6A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±16V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 401pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 1.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : SOT-23-3
حزمة / القضية : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

قد تكون أيضا مهتما ب