Vishay Siliconix - SI7104DN-T1-GE3

KEY Part #: K6395941

SI7104DN-T1-GE3 التسعير (USD) [79734الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.49039
  • 3,000 pcs$0.45945

رقم القطعة:
SI7104DN-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة and الترانزستورات - الغرض الخاص ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SI7104DN-T1-GE3 electronic components. SI7104DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7104DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7104DN-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SI7104DN-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 12V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 35A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±12V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 2800pF @ 6V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® 1212-8
حزمة / القضية : PowerPAK® 1212-8

قد تكون أيضا مهتما ب