Microsemi Corporation - 1N5822US

KEY Part #: K6441014

وصف مفصل:: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - مقومات الجسر, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت and الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors) ...

Competitive Advantage:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5822US electronic components. 1N5822US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5822US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : 1N5822US

الصانع : Microsemi Corporation

وصف : DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الصمام الثنائي : Schottky

الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 40V

الحالي - متوسط تصحيح (io) : 3A

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 500mV @ 3A

سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

وقت الاسترداد العكسي (trr) : -

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 100µA @ 40V

السعة @ Vr ، F : -

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : SQ-MELF, B

حزمة جهاز المورد : B, SQ-MELF

درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 125°C

قد تكون أيضا مهتما ب

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
IDB10S60CATMA2

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.
VS-8EWF04S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
VS-MURB1520TRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.
VS-20ETS08STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.
VS-20ETS12STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.

أجزاء ساخنة