رقم القطعة :
IPC028N03L3X1SA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
-
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
Sawn on foil