Microsemi Corporation - JANTXV1N6630

KEY Part #: K6446709

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - مقومات الجسر, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال and الثنائيات - مقومات - صفائف ...

Competitive Advantage:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6630 electronic components. JANTXV1N6630 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6630, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : JANTXV1N6630

الصانع : Microsemi Corporation

وصف : DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

سلسلة : Military, MIL-PRF-19500/590

حالة الجزء : Active

نوع الصمام الثنائي : Standard

الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 900V

الحالي - متوسط تصحيح (io) : 1.4A

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.4V @ 1.4A

سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

وقت الاسترداد العكسي (trr) : 50ns

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 2µA @ 900V

السعة @ Vr ، F : -

تصاعد نوع : Through Hole

حزمة / القضية : E, Axial

حزمة جهاز المورد : E-PAK

درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب

IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-30CPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.
VS-80EPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.
VS-80EPF04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.
MBR1650HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.
SRP600J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 6A P600.