GeneSiC Semiconductor - 1N1206AR

KEY Part #: K6440122

1N1206AR التسعير (USD) [14126الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$1.85975
  • 10 pcs$1.65924
  • 25 pcs$1.49327
  • 100 pcs$1.36048

رقم القطعة:
1N1206AR
الصانع:
GeneSiC Semiconductor
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4. Rectifiers Rectifier
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors) and الثنائيات - مقومات - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1206AR electronic components. 1N1206AR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1206AR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1206AR سمات المنتج

رقم القطعة : 1N1206AR
الصانع : GeneSiC Semiconductor
وصف : DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard, Reverse Polarity
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 600V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 12A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.1V @ 12A
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : -
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10µA @ 50V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Chassis, Stud Mount
حزمة / القضية : DO-203AA, DO-4, Stud
حزمة جهاز المورد : DO-4
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 200°C
قد تكون أيضا مهتما ب
  • SD101AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM

  • BAV19W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM

  • GSD2004W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT42W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM AUTO

  • GSD2004W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT42W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM