ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S32160F-75EBL

KEY Part #: K920557

وصف مفصل:: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: مضمن - نظام تشغيل رقاقة (SoC), واجهة - UARTs (مرسل مستقبل غير متزامن العالمي), ساعة / توقيت - مولدات على مدار الساعة ، PLLs ، تول, الحصول على البيانات - المحولات الرقمية إلى التناظر, المنطق - عدادات ، فواصل, PMIC - عرض السائقين, PMIC - الإدارة الحرارية and واجهة - الاستشعار ، اللمس بالسعة ...

Competitive Advantage:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75EBL electronic components. IS42S32160F-75EBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S32160F-75EBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : IS42S32160F-75EBL

الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

وصف : IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : DRAM

تقنية : SDRAM

حجم الذاكرة : 512Mb (16M x 32)

تردد على مدار الساعة : 133MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : -

وقت الوصول : 6ns

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 3V ~ 3.6V

درجة حرارة التشغيل : 0°C ~ 70°C (TA)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 90-TFBGA

حزمة جهاز المورد : 90-TFBGA (8x13)

Silicom MinnowBoard Turbot

قد تكون أيضا مهتما ب

W25Q128BVEJG

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 128MB.
W25Q32FVZEJQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 32MB.
W25Q256FVEJF TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 256MB.
MR20H40CDFR

Everspin Technologies Inc.

IC RAM 4M SPI 50MHZ 8DFN. NVRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
GD25VQ80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
7130LA25TFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1K x 8 Dual Port High Speed RAM

أجزاء ساخنة