ON Semiconductor - RHRD660S9A

KEY Part #: K6452560

RHRD660S9A التسعير (USD) [187337الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.19842
  • 2,500 pcs$0.19744
  • 5,000 pcs$0.18804

رقم القطعة:
RHRD660S9A
الصانع:
ON Semiconductor
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثايرستور - SCRs, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت ...
Competitive Advantage:
We specialize in ON Semiconductor RHRD660S9A electronic components. RHRD660S9A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RHRD660S9A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RHRD660S9A سمات المنتج

رقم القطعة : RHRD660S9A
الصانع : ON Semiconductor
وصف : DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 600V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 6A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 2.1V @ 6A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 35ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 100µA @ 600V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد : TO-252AA
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • RHRD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode

  • C3D02065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V

  • V10WL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK.

  • BYM10-600-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM11-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated

  • RGL34A-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM