ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16640C-3DBI-TR

KEY Part #: K938180

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: بطاريات الذاكرة, PMIC - مرجع الجهد, الخطي - المقارنات, PMIC - سائقين الصمام, واجهة - التوليف الرقمي المباشر (DDS), الحصول على البيانات - الجهد الرقمية, PMIC - منظمات الفولت - الأغراض الخاصة and واجهة - مخازن إشارة ، الراسبين ، الخائن ...

Competitive Advantage:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBI-TR electronic components. IS43DR16640C-3DBI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16640C-3DBI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : IS43DR16640C-3DBI-TR

الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

وصف : IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : DRAM

تقنية : SDRAM - DDR2

حجم الذاكرة : 1Gb (64M x 16)

تردد على مدار الساعة : 333MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 15ns

وقت الوصول : 450ns

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 1.7V ~ 1.9V

درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 84-TFBGA

حزمة جهاز المورد : 84-TFBGA (12.5x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

قد تكون أيضا مهتما ب

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

أجزاء ساخنة