الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
2.3nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
190pF @ 25V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-VDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد :
W-DFN3020-8