وصف :
MOSFET P-CH 200V 26A TO-263
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
26A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
170 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
56nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2740pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-263 (IXTA)
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB