رقم القطعة :
SI5471DC-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
6A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
96nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2945pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
1206-8 ChipFET™
حزمة / القضية :
8-SMD, Flat Lead