رقم القطعة :
TPCA8010-H(TE12LQM
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
5.5A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
450 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
10nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
600pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.6W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-SOP Advance (5x5)
حزمة / القضية :
8-PowerVDFN