الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
28V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.8A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
305pF @ 5V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.4W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-23-3
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3