Microsemi Corporation - APT100GN120J

KEY Part #: K6532740

APT100GN120J التسعير (USD) [2794الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$16.76219
  • 10 pcs$15.50433
  • 25 pcs$14.24722
  • 100 pcs$13.24153

رقم القطعة:
APT100GN120J
الصانع:
Microsemi Corporation
وصف مفصل:
IGBT 1200V 153A 446W SOT227.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - الغرض الخاص and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Microsemi Corporation APT100GN120J electronic components. APT100GN120J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GN120J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GN120J سمات المنتج

رقم القطعة : APT100GN120J
الصانع : Microsemi Corporation
وصف : IGBT 1200V 153A 446W SOT227
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع IGBT : Trench Field Stop
ترتيب : Single
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) : 1200V
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) : 153A
أقصى القوة : 446W
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic : 2.1V @ 15V, 100A
الحالية - قطع جامع (ماكس) : 100µA
سعة الإدخال (Cies) @ Vce : 6.5nF @ 25V
إدخال : Standard
NTC الثرمستور : No
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Chassis Mount
حزمة / القضية : SOT-227-4, miniBLOC
حزمة جهاز المورد : ISOTOP®

قد تكون أيضا مهتما ب
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT