وصف :
GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
تقنية :
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
60A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 20mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2300pF @ 15V
تصاعد نوع :
Surface Mount