Nexperia USA Inc. - PMEG2010AET,215

KEY Part #: K6457951

PMEG2010AET,215 التسعير (USD) [781298الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.04734
  • 3,000 pcs$0.04317
  • 6,000 pcs$0.04055
  • 15,000 pcs$0.03794
  • 30,000 pcs$0.03488

رقم القطعة:
PMEG2010AET,215
الصانع:
Nexperia USA Inc.
وصف مفصل:
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHTTKY TAPE-7
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة and الثنائيات - زينر - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMEG2010AET,215 electronic components. PMEG2010AET,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG2010AET,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMEG2010AET,215 سمات المنتج

رقم القطعة : PMEG2010AET,215
الصانع : Nexperia USA Inc.
وصف : DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT23
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Schottky
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 20V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 1A (DC)
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 430mV @ 1A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : -
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 200µA @ 20V
السعة @ Vr ، F : 70pF @ 5V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد : TO-236AB
درجة حرارة التشغيل - مفرق : 150°C (Max)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt