وصف :
E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101, E
تقنية :
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
900V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
35A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
84.5 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 5mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
30.4nC @ 15V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
660pF @ 600V
تبديد الطاقة (ماكس) :
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-247-3