Infineon Technologies - IPB096N03LGATMA1

KEY Part #: K6407691

[886الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    IPB096N03LGATMA1
    الصانع:
    Infineon Technologies
    وصف مفصل:
    MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - الغرض الخاص, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة and الثنائيات - مقومات - واحدة ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Infineon Technologies IPB096N03LGATMA1 electronic components. IPB096N03LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB096N03LGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB096N03LGATMA1 سمات المنتج

    رقم القطعة : IPB096N03LGATMA1
    الصانع : Infineon Technologies
    وصف : MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
    سلسلة : OptiMOS™
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 35A (Tc)
    جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 9.6 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (ماكس) : ±20V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1600pF @ 15V
    ميزة FET : -
    تبديد الطاقة (ماكس) : 42W (Tc)
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة جهاز المورد : D²PAK (TO-263AB)
    حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • IRFR15N20DTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.