الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
25V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
7.8A (Ta), 32A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
16.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
5.78nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
584pF @ 20V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63